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Boletín de la Sociedad Chilena de Química

versão impressa ISSN 0366-1644

Resumo

RIVEROS, G. et al. ELECTRODEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF ZnX (X=Se, Te) SEMICONDUCTOR THIN FILMS. Bol. Soc. Chil. Quím. [online]. 2002, vol.47, n.4, pp. 411-429. ISSN 0366-1644.  http://dx.doi.org/10.4067/S0366-16442002000400013.

El presente trabajo describe la síntesis y la caracterización de películas delgadas de ZnX (X = Se y Te) obtenidas por electrodeposición a potencial constante en medio ácido. Previamente, se realizó un estudio voltamétrico y fotovoltamétrico sobre diferentes substratos conductores los que permitieron determinar las mejores condiciones para la electro obtención de estos compuestos. Las películas delgadas de ZnSe y de ZnTe fueron analizadas por diferentes técnicas (SEM, EDS, XRD y medidas ópticas). Las películas de ZnTe presentaron una composición muy cercana a la estequiometrica, en tanto que las de ZnSe presentaron un exceso de Se el cual puede ser eliminado por un adecuado tratamiento térmico. La caracterización óptica de ambos semiconductores depositados sobre titanio arrojó valores de ancho de banda prohibida de transición directa de 2,64 eV para ZnSe y 2,27 eV para ZnTe, muy cercanos a los aceptados en bibliografía.

Palavras-chave : ZnSe; ZnTe; semiconductores; electrodisposición.

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